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第7题
图LP3－3所示电路，P沟道增强型MOSFET的μpCoxW／（2l)= 40μA／V2，VGS（th)=－1 V，若忽略沟道长度调制效
图LP3-3所示电路，P沟道增强型MOSFET的μpCoxW／(2l)= 40μA／V2，VGS(th)=-1 V，若忽略沟道长度调制效应。
(1)试证：对于任意Rs值，场效应管都工作在饱和区。 (2)当Rs为12．5 kΩ时，试求电压VO值。
第10题
对n沟增强型MOSFET而言，源极接地，半导体表面达到强反型后，___在沟道中______进行输运。
A.空穴，由源端到漏端
B.空穴，由漏端到源端
C.电子，由源端到漏端
D.电子，由漏端到源端
