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题目内容 (请给出正确答案)
[单选题]

p沟增强型MOS管的开启电压为___,沟道中导电载流子为___。

A.正值,电子

B.正值,空穴

C.负值,电子

D.负值,空穴

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第1题
场效应管靠()导电。

A、一种载流子

B、两种载流子

C、电子

D、空穴

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第2题
对n沟增强型MOSFET而言,源极接地,半导体表面达到强反型后,___在沟道中______进行输运。

A.空穴,由源端到漏端

B.空穴,由漏端到源端

C.电子,由源端到漏端

D.电子,由漏端到源端

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第3题
在P型半导体中,()是少数载流子。A.空穴B.电子C.硅D.锗

在P型半导体中,()是少数载流子。

A.空穴

B.电子

C.硅

D.锗

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第4题
P型半导体中,自由电子的数目少于空穴的数目,其导电能力主要由空穴决定,所以称为()型半导体。

A.空穴

B.电子

C.光敏

D.热敏

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第5题
本征半导体中有哪些类型的载流子

A.重电子和轻电子

B.电子和空穴

C.轻空穴和重空穴

D.正电荷和负电荷

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第6题
当ωt=120°时,i1、i2、i3分别为____。

A.0、负值、正值

B.正值、0、负值

C.负值、0、正值

D.0、正值、负值

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第7题
当ωt=360°时,i1、i2、i3分别为____。

A.负值、正值、0

B.0、正值、负值

C.负值、0、正值

D.0、负值、正值

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第8题
N沟道结型场效应管的夹断电压VP为()。
A、正值

B、负值

C、零

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第9题
半导体具有电子及空穴两种类型载流子。
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第10题
齿厚的上偏差为正值,下偏差为负值。()

齿厚的上偏差为正值,下偏差为负值。()

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