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N沟道增强型MOSFET饱和区工作条件是删源电压VGS大于开启电压VT,漏源电压 VDS 大于 删源电压VGS和开启电压VT之差（）
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图LP3-3所示电路，P沟道增强型MOSFET的μpCoxW／(2l)= 40μA／V2，VGS(th)=-1 V，若忽略沟道长度调制效应。
(1)试证：对于任意Rs值，场效应管都工作在饱和区。 (2)当Rs为12．5 kΩ时，试求电压VO值。
电路如图所示，若R、Us、Is均大于零，则电路的功率情况为()。
A．电阻吸收功率，电压源与电流源供出功率
B．电阻与电流源吸收功率，电压源供出功率
C．电阻与电压源吸收功率，电流源供出功率
D．电阻吸收功率，电流源供出功率，电压源无法确定
A.空穴，由源端到漏端
B.空穴，由漏端到源端
C.电子，由源端到漏端
D.电子，由漏端到源端
