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题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

衬源短接的增强型NMOSFET，VDS＞0正常开启时，衬底表面电势最低点出现在？（）

A.源区

B.沟道区靠近源区一侧

C.沟道区靠近漏区一侧

D.漏区

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第1题

N沟道增强型MOSFET饱和区工作条件是删源电压VGS大于开启电压VT,漏源电压 VDS 大于删源电压VGS和开启电压VT之差（）

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第2题

对n沟增强型MOSFET而言，源极接地，半导体表面达到强反型后，___在沟道中______进行输运。

A.空穴，由源端到漏端

B.空穴，由漏端到源端

C.电子，由源端到漏端

D.电子，由漏端到源端

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第3题

P沟道增强型MOS管工作在截止区的条件(),欲使其能放大信号，则应将其设置在()区。

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第4题

PMOS半导体表面达到反型后，若源端电位高于漏端电位，则（)在沟道中（)进行输运。

A.空穴，由源端到漏端

B.空穴，由漏端到源端

C.电子，由源端到漏端

D.电子，由漏端到源端

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第5题

如果 N沟道增强型MOSFET工作在饱和区,则满足iD=Kn（）的平方。其中 Kn和 vGS 是常数

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第6题

测得某增强型场效应管栅源电压为2V，已知Vth=1V，则该管不可能工作在()区。

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第7题

哪些不属于系统内干扰？()

A.GPS跑偏

B.邻区存在同频同码组的小区

C.漏配TD强邻区

D.漏配GSM强邻区

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第8题

漏做邻区时可能会导致的网络出现()()问题

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第9题

关于邻区优化的说法中错误的是？()

A . 邻区漏配会导致切换失败而掉话

B . 邻区配得越多，网络性能越好

C . 邻区通过测量控制和SIB11下发给终端

D . 路测对比UE和SCANNER结果，更容易发现漏配邻区的情况

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