首页 > 大学本科
题目内容 (请给出正确答案)
[主观题]

N型半导体中杂质原子所形成的局部能级(也称施主能级),在能带中应处于()。

N型半导体中杂质原子所形成的局部能级(也称施主能级),在能带中应处于()。

A.满带中

B.导带中

C.禁带中,但接近满带顶

D.禁带中,但接近导带底

查看答案
答案
收藏
如果结果不匹配,请 联系老师 获取答案
您可能会需要:
您的账号:,可能还需要:
您的账号:
发送账号密码至手机
发送
安装优题宝APP,拍照搜题省时又省心!
更多“N型半导体中杂质原子所形成的局部能级(也称施主能级),在能带…”相关的问题
第1题
能带包括()。

A.导带

B.价带

C.禁带

D.允带

点击查看答案
第2题
说明杂质能级以及电离能的物理意义。为什么受主、施主能级分别位于价带之上或导带之下,而且电离能的数值较小?

点击查看答案
第3题
两块n型硅材料,在某一温度T时,第一块与第二块的电子密度之比为n1/n2=e(e是自然对数的底)。 (1)
两块n型硅材料,在某一温度T时,第一块与第二块的电子密度之比为n1/n2=e(e是自然对数的底)。 (1)如果第一块材料的费米能级在导带底之下3k0T,试求出第二块材料中费米能级的位置; (2)求出两块材料中空穴密度之比p1/p2。

点击查看答案
第4题
紫外光谱中电子跃迁形成吸收带有()。
A.R带

B.K带

C.B带

D.E带

点击查看答案
第5题
反映河流自净过程的“污化带”中,哪个带中的污染物浓度最低()。

A.多污带

B.α-中污带

C.β-中污带

D.寡污带

点击查看答案
第6题
费米能级

以下关于“费米能级的变化”说法正确的是:()。

A、从室温开始,随温度的升高,费米能级逐渐降低,直至到达本征费米能级

B、费米能级随掺杂浓度的增大向带边(导带底或价带顶)靠近

C、费米能级一直随温度升高而降低

D、费米能级一直随温度升高而增大

E、费米能级随掺杂浓度的增大向上移动

F、费米能级随掺杂浓度的增大向下移动

点击查看答案
第7题
区别甾体皂苷元c25位构型,可根据ir光谱中的哪一个作为依据()。

A、D带>A带

B、C带>D带

C、B带>C带

D、A带>B带

点击查看答案
第8题
在近中性的环境中,DNA()

A、带正电荷

B、带负电荷

C、不带电荷

D、不能溶解

E、形成絮状沉淀

点击查看答案
第9题
N型半导体()。

A.就是空穴型半导体

B.带正电

C.带负电

D.呈电中性

点击查看答案
退出 登录/注册
发送账号至手机
密码将被重置
获取验证码
发送
温馨提示
该问题答案仅针对搜题卡用户开放,请点击购买搜题卡。
马上购买搜题卡
我已购买搜题卡, 登录账号 继续查看答案
重置密码
确认修改