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题目内容（请给出正确答案）

[多选题]

费米能级

以下关于“费米能级的变化”说法正确的是：()。

A、从室温开始，随温度的升高，费米能级逐渐降低，直至到达本征费米能级

B、费米能级随掺杂浓度的增大向带边(导带底或价带顶)靠近

C、费米能级一直随温度升高而降低

D、费米能级一直随温度升高而增大

E、费米能级随掺杂浓度的增大向上移动

F、费米能级随掺杂浓度的增大向下移动

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更多“费米能级”相关的问题

第1题

下列说法正确的有（)？

A.费米能级以下的量子态全部被电子占据

B.绝对0K时，费米能级以下的量子态全部被电子占据

C.温度不太高的情况下，费米能级以上的量子态几乎是空的

D.温度不太高的情况下，费米能级以上的量子态是空的

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第2题

若费米能级EF=5eV，利用费米函数计算在什么温度下电子占据E=5.5eV能级的概率为1%。并计算在该温度下电子分布

若费米能级E_F=5eV，利用费米函数计算在什么温度下电子占据E=5.5eV能级的概率为1%。并计算在该温度下电子分布概率从0.9～0.1所对应的能量区间。

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第3题

费米分布退化为玻尔兹曼分布的前提是所考察的能级远离费米能级（）

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第4题

如果没有电流,费米能级将保持水平,对于开启状态的 NMOS 来说不存在空穴电流,因此空穴准费米能级在沟道区不变.（）

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第5题

若费米能级EF=5eV，利用费米函数计算在什么温度下电子占据E=5．5eV能级的概率为1％。并计算在该温度

下电子分布概率从0．9～0．1所对应的能量区间。

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第6题

施主浓度为10¹³cm³的n型硅，计算400K时本征载流子浓度、多子浓度、少子浓度和费米能级的位置。

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第7题

考虑Si表面的费米能级钉扎,在金半接触前,n-Si自己实际上已经形成了耗尽层（）

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第8题

费米面

若把银看成具有球形费米面的单价金属,计算以下各量: (1)费米能和费米温度; (2)费米球半径; (3)费米速度; (4)费米球面的横截面积: (5)在室温及低温时电子的平均自由程。银的密度为10.5 g . cm-3,相对原子质量为107 .87,电阻率为161x10^-6Ω.cm(在295K), 0.038x 10^-6Ω.cm (在20K)

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第9题

两块n型硅材料，在某一温度T时，第一块与第二块的电子密度之比为n1／n2=e（e是自然对数的底)。（1)

两块n型硅材料，在某一温度T时，第一块与第二块的电子密度之比为n1／n2=e(e是自然对数的底)。 (1)如果第一块材料的费米能级在导带底之下3k0T，试求出第二块材料中费米能级的位置； (2)求出两块材料中空穴密度之比p1／p2。

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第10题

传递作用力的粒子是什么？()

A.离子

B.原子

C.玻色子

D.费米子

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