题目内容
（请给出正确答案）
两块n型硅材料，在某一温度T时，第一块与第二块的电子密度之比为n1／n2=e(e是自然对数的底)。 (1)如果第一块材料的费米能级在导带底之下3k0T，试求出第二块材料中费米能级的位置； (2)求出两块材料中空穴密度之比p1／p2。
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以下关于“费米能级的变化”说法正确的是：()。
A、从室温开始，随温度的升高，费米能级逐渐降低，直至到达本征费米能级
B、费米能级随掺杂浓度的增大向带边(导带底或价带顶)靠近
C、费米能级一直随温度升高而降低
D、费米能级一直随温度升高而增大
E、费米能级随掺杂浓度的增大向上移动
F、费米能级随掺杂浓度的增大向下移动
A．接头/接缝强度与在同方向上所测定的土工合成材料的强度之比
B．由缝合或接合两块或多块土工合成材料所形成的联结处的最大抗拉力
C．两块或多块土工合成材料缝合起来的连续缝迹
D．两块或多块土工合成材料，除缝合外的其他方法接合起来的联结处
A.替换第一块硬盘
B.替换第二块硬盘
C.把CD_ROM设置为从
D.把第二块硬盘设置为主盘
二块偏振片以恒定角速度ω绕光传播的方向旋转，如图所示．设入射自然光的光强为I0．试证明：此自然光通过这一系统后，出射光的光强为I=I0(1-cos4ωt)/16．
B . 1：2
C . 1：3
D . 1：4
A.费米能级以下的量子态全部被电子占据
B.绝对0K时，费米能级以下的量子态全部被电子占据
C.温度不太高的情况下，费米能级以上的量子态几乎是空的
D.温度不太高的情况下，费米能级以上的量子态是空的
