题目内容
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[主观题]
太阳电池用直拉单晶硅中的主要缺陷是()。
太阳电池用直拉单晶硅中的主要缺陷是（)。
A、二次缺陷
B、位错
C、空位
D、杂质原子
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B、位错
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A、从高纯多晶硅转化成单晶硅的步骤都非常重要
B、后者采用直拉法或区熔法单晶硅，而前者不是
C、前者主要采用FZ硅，而后者主要采用CZ硅
D、两者可以采用同样的高纯多晶硅作为原料
．
设原子在填隙位置和正常位置的能量差为u，证明当nN时，有
．
A、C3缺陷
B、C4缺陷
C、C1INH
D、C1q缺陷
E、C9缺陷
