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[单选题]

在晶体中形成空位的同时又产生间隙原子,这样的缺陷称为:

A.肖脱基缺陷

B.弗兰克缺陷

C.线缺陷

D.面缺陷

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第1题

晶体由N个原子组成，如图3－2所示．当原子离开正常位置而占据图巾的格点间隙位置时，晶体中就出现空位和填隙原

晶体由N个原子组成，如图3-2所示．当原子离开正常位置而占据图巾的格点间隙位置时，晶体中就出现空位和填隙原子．品体的这种缺陷称为弗仑克尔(Frenkel)缺陷．假设正常位置和填隙位置数均为N，试证明：由于在晶体中形成n个空位和填隙原子而具有的熵等于

．

设原子在填隙位置和正常位置的能量差为u，证明当nN时，有

．

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第2题

太阳电池用直拉单晶硅中的主要缺陷是()。

A、二次缺陷

B、位错

C、空位

D、杂质原子

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第3题

晶体生长过程中产生的缺陷称为()。

A、原生长缺陷

B、二次缺陷

C、点缺陷

D、诱生缺陷

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第4题

浮法玻璃中的缺陷按形成部位可分为以下几类：（)

A.原料缺陷

B.熔化缺陷

C.耐火材料缺陷

D.成型缺陷及退火缺陷

E.外在缺陷

F.冷端玻璃加工和储存缺陷

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第5题

后天性缺陷是指压力容器在使用、维修、改造中产生的缺陷。

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第6题

设备故障产生的原因（)。

A.设计缺陷

B.制造加工缺陷

C.安装缺陷

D.质量管理缺陷

E.使用缺陷

F.维修维护缺陷

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第7题

先天性缺陷是指压力容器在设计、制造（含组装）、安装中产生的缺陷。

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第8题

先天性缺陷是指压力容器在设计、制造（含组焊）、安装中产生的缺陷。

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第9题

GB11345£89标准规定，需要进行波幅和指示长度测定的缺陷是（)

A.III区的缺陷

B.II区的缺陷

C.定量线及定量线以上的缺陷

D.I区的缺陷

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