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题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（)。

A.温度

B.掺杂工艺

C.掺杂浓度

D.晶格缺陷

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第1题

在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（)

A.晶体缺陷

B.杂质浓度

C.温度

D.掺杂工艺

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第2题

在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于()

A.晶体缺陷

B.温度

C.杂质浓度

D.掺杂工艺

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第3题

在掺杂半导体中，多子的浓度主要取决于（)。

A.材料

B.温度

C.压力

D.掺杂浓度

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第4题

在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于_______，而少数载流子的浓度则与_______有很大关系。

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第5题

杂质半导体中多数载流子的浓度取决于()

A、温度

B、杂质浓度

D、电子空穴对数目

D、都不是

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第6题

p + n 突变结的势垒电容,主要随_________而减少

A.p 区掺杂浓度的增加

B.p 区掺杂浓度的降低

C.n区掺杂浓度的增加

D.n 区掺杂浓度的降低

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第7题

半导体具有光敏特性、()特性和掺杂特性。根据掺杂的不同，可分为N型半导体和()型半导体，半导体中有()和()两种载流子参与导电。

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第8题

三极管具有（)的特点。

A.发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度

B.基区非常薄

C.集电区掺杂浓度较小，集电结的面积比发射结的面积大

D.以上三项

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第9题

N型半导体中的多数载流子是（)。

A.自由电子

B.空穴

C.束缚电子

D.晶格上的离子

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