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[单选题]

在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（)

A.晶体缺陷

B.杂质浓度

C.温度

D.掺杂工艺

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第1题

在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于()

A.晶体缺陷

B.温度

C.杂质浓度

D.掺杂工艺

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第2题

杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（)。

A.温度

B.掺杂工艺

C.掺杂浓度

D.晶格缺陷

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第3题

杂质半导体中多数载流子的浓度取决于()

A、温度

B、杂质浓度

D、电子空穴对数目

D、都不是

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第4题

在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于_______，而少数载流子的浓度则与_______有很大关系。

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第5题

在掺杂半导体中，多子的浓度主要取决于（)。

A.材料

B.温度

C.压力

D.掺杂浓度

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第6题

p型半导体中多数载流子是

P型半导体中，多数载流子是()。

A、空穴

B、自由电子

C、原子核

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第7题

三极管的发射区面积大，杂质浓度高，多数载流子数量多。（)

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第8题

半导体具有光敏特性、()特性和掺杂特性。根据掺杂的不同，可分为N型半导体和()型半导体，半导体中有()和()两种载流子参与导电。

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第9题

P型半导体的多数载流子是空穴，因此P型半导体带正电。()

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