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第2题
硅稳压二极管与一般二极管不同的是，稳压管工作在()。A.击穿区B.反向击穿区C.导通区D.反向导通区
硅稳压二极管与一般二极管不同的是，稳压管工作在()。
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A.击穿区
B.反向击穿区
C.导通区
D.反向导通区
第3题
三极管处于截止区、放大区和饱和区工作的条件是什么？（)
A.发射结处于反向偏置、集电结处于反向偏置时，三极管处于截止区工作;发射结处于反向偏置、集电结处于正向偏置时，三极管处于放大区工作;发射结处于正向偏置、集电结处于正向偏置时，三极管处于饱和区工作
B.发射结处于正向偏置、集电结处于反向偏置时，三极管处于截止区工作;发射结处于反向偏置、集电结处于反向偏置时，三极管处于放大区工作;发射结处于反向偏置、集电结处于正向偏置时，三极管处于饱和区工作
C.发射结处于正向偏置、集电结处于正向偏置时，三极管处于截止区工作;发射结处于反向偏置、集电结处于正向偏置时，三极管处于放大区工作;发射结处于反向偏置、集电结处于反向偏置时，三极管处于饱和区工作
D.发射结处于反向偏置、集电结处于反向偏置时，三极管处于截止区工作;发射结处于正向偏置、集电结处于反向偏置时，三极管处于放大区工作;发射结处于正向偏置、集电结处于正向偏置时，三极管处于饱和区工作
第7题
下面正确的说法为()。
A.由于PN结交界面处有电位差，所以当把PN结两端短路时，就有电流流过
B.在N型半导体内掺入足够的三价元素，可以将其改型为P型半导体
C.PN结的伏安特性方程可以描述死区、正向导通区、反向截止区和反向击穿区的特性
D.因为P型半导体的多子是空穴，少子是自由电子，因此P型半导体带正电
