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题目内容（请给出正确答案）

[主观题]

下面正确的说法为()。

下面正确的说法为（)。

A.由于PN结交界面处有电位差，所以当把PN结两端短路时，就有电流流过

B.在N型半导体内掺入足够的三价元素，可以将其改型为P型半导体

C.PN结的伏安特性方程可以描述死区、正向导通区、反向截止区和反向击穿区的特性

D.因为P型半导体的多子是空穴，少子是自由电子，因此P型半导体带正电

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第1题

关于PN结下列说法正确的是：()。

A、PN结是P型，N型半导体混合制成的

B、PN结是P型，N型半导体相接触形成的

C、PN结是P型半导体中掺入少量N型半导体形成的

D、PN结是N型半导体中掺入少量P型半导体形成的

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第2题

在n型半导体中如果掺入足够量的三价元素

在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。()

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第3题

在P型半导体中如果掺入足够量的五价元素，可将其改型为N型半导体。（)

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第4题

在 N 型半导体中,如果掺入足够量的三价元素,可将其改为 P 型半导体（）

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第5题

关于两种半导体带电的说法，正确的是（)。

A.P型半导体主要靠空穴导电，所以定是带正电

B.N型半导体主要靠电子导电，所以定是带负电

C.P型半导体和N型半导体对外都不导电

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第6题

P型半导体的多数载流子是空穴，因此P型半导体带正电。()

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第7题

pn结的特性

稳压二极管是利用PN结的()特性进行稳压的。

A、正向导通

B、反向截止

C、反向击穿

D、电容效应

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第8题

某n型半导体硅，其掺杂浓度ND=1015cm－3，少子寿命τp=5μs，若由于外界作用，使其少数载流子全部被清除（如反向偏

某n型半导体硅，其掺杂浓度N_D=10¹⁵cm^-3，少子寿命τ_p=5μs，若由于外界作用，使其少数载流子全部被清除(如反向偏压的pn结附近)，试求此时电子—空穴的产生率是多大(设n_i=1.5×10¹⁰cm^-3)？

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第9题

p型半导体中多数载流子是

P型半导体中，多数载流子是()。

A、空穴

B、自由电子

C、原子核

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