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第1题
太阳电池用单晶硅片一般利用氢氧化钠腐蚀液来进行腐蚀，腐蚀深度要超过硅片机械损伤层的厚度，约为20～30um。（)
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第2题
单晶硅片的电阻率一般控制在()。
A、0.5～2·cm左右
B、1～3·cm左右
C、0.1～0.3·cm左右
D、2～4·cm左右
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第3题
大气层厚度约为
大气层的厚度约为（）。
第4题
压阻式压力传感器是利用单晶硅的压阻效应而构成,采用单晶硅片为弹性元件。
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第5题
用錾子进行錾削时每次錾削的厚度约为()。A.0.5mmB.0.5～1mmC.1～1.5mmD.1～2mm
用錾子进行錾削时每次錾削的厚度约为()。
A.0.5mm
B.0.5～1mm
C.1～1.5mm
D.1～2mm
第6题
单晶制绒应,以（）片为一个生产批次,把硅片插入清洗小花篮
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第7题
用錾子进行錾削时每次錾削的厚度约为()。A.0．5mmB.0．5～1mmC.l～1．5mmD.1～2mm
用錾子进行錾削时每次錾削的厚度约为()。
A.0．5mm
B.0．5～1mm
C.l～1．5mm
D.1～2mm
第8题
单位膜厚度约为()。A．3．5nmB．8nmC．7．5nmD．7．5nmE．4．5nm
单位膜厚度约为()。
A．3．5nm
B．8nm
C．7．5nm
D．7．5nm
E．4．5nm
第9题
太阳电池用直拉单晶硅中的主要缺陷是()。
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