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[主观题]
在图NP4-19所示场效应管混频器原理电路中，已知场效应管的静态转移特性为,在满足线性时变条件
在图NP4-19所示场效应管混频器原理电路中，已知场效应管的静态转移特性为
,在满足线性时变条件下，试画出下列两种情况下gm(t)的波形图，并导出混频跨导gmc表达式。
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在图NP4-19所示场效应管混频器原理电路中，已知场效应管的静态转移特性为,在满足线性时变条件下，试画出下列两种情况下gm(t)的波形图，并导出混频跨导gmc表达式。。
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信号功率Pd;(2)功率增益Pc/PAS值，其中PAS=V2S/4RS;(3)电路成为振荡器的条件。
图(a)所示的固定偏置放大电路中，已知晶体管的输出特性曲线和电路的直流负载线为图(b)可得出该电路的静态值为（）。
图LP3-3所示电路，P沟道增强型MOSFET的μpCoxW／(2l)= 40μA／V2，VGS(th)=-1 V，若忽略沟道长度调制效应。
(1)试证：对于任意Rs值，场效应管都工作在饱和区。 (2)当Rs为12．5 kΩ时，试求电压VO值。
场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为()场效应管。
A.P沟道增强型MOS型
B.P沟道耗尽型MOS型
C.N沟道增强型MOS型
D.N沟道耗尽型MOS型
E.N沟道结型
F.P沟道结型
在图10.2.1所示的电路中,
.(1)若将静态值IC调到1.5mA,应将RB调到多大？(2)若将静态值UCE调到8v,应将RB调到多大？
在图4．4．9(a)所示电路中，已知A、B波形如图4．4．9(b)所示，触发器的初始状态均为0，对应试画出Q1和Q2波形。
已知图所示电路中晶体管的β=100，rbe=1kΩ。
(1) 输入电阻ri；(2) 若Rs=3K，求Aus、ro；(3) 若Rs=30K，求Aus、ro；(4) 将上述(1)、(2)、(3)的结果对比，说明射极输出器有什么特点？静态时UCE=5.5V
在图NP4-9所示的差分对管调制电路中,已知
晶体三极管β很大,VBE(on)可忽略。试用开关函数求ic=(ic1-ic2)值。
在下图所示电路中，已知晶体管的β=80，rbe=1kΩ，Ui=20mV；静态时UBEQ=0.7V，UCEQ=4V，IBQ=20uA。判断下列结论是否正确。
