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[主观题]

场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为()场效应管。A.P沟道增强型MOS型B.P沟道耗尽型MOS

场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为（)场效应管。A.P沟道增强型MOS型B.P沟道耗尽型MOS

场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为()场效应管。

场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为（)场效应管。A.P沟道增强型MOS型B.P沟道耗尽型

A.P沟道增强型MOS型

B.P沟道耗尽型MOS型

C.N沟道增强型MOS型

D.N沟道耗尽型MOS型

E.N沟道结型

F.P沟道结型

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第1题

（）具有不同的低频小信号电路模型

A.NPN型管和PNP型管

B.增强型场效应管和耗尽型场效应管

C.N沟道场效应管和P沟道场效应管

D.晶体管和场效应管

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第2题

耗尽型场效应管是指没有加偏置电压时有导电沟道存在（）

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第3题

()场效应管能采取自偏压电路。

A.增强型和结型

B.耗尽型和结型

C.都不能

D.增强型和耗尽型

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第4题

在使用场效应管时，由于结型场效应管的结构是对称的，所以()极和()极是可互换的。MOS管中如果衬底在管内不与()极预先接在一起()极和()极也可互换。

在使用场效应管时，由于结型场效应管的结构是对称的，所以（)极和（)极是可互换的。MOS管中如果衬底在管内不与（)极预先接在一起（)极和（)极也可互换。

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第5题

N沟道结型场效应管的夹断电压VP为（)。

A、正值

B、负值

C、零

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第6题

IGBT的基本结构是由“双极型三极管BJT”和“MOS绝缘栅型场效应管”组成的（)电力电子器件。

A.结构复杂

B.复合

C.全控型

D.电压驱动式

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第7题

双栅MOS场效应管因为反馈电容比常规（单栅)MOS场效应管低两个数量级,因而能在甚高频率和超高范围内稳定地工作。（)

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第8题

P-MOSFET是指P沟道的场效应管（）

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第9题

图LP3－3所示电路，P沟道增强型MOSFET的μpCoxW／（2l)= 40μA／V2，VGS（th)=－1 V，若忽略沟道长度调制效

图LP3-3所示电路，P沟道增强型MOSFET的μpCoxW／(2l)= 40μA／V2，VGS(th)=-1 V，若忽略沟道长度调制效应。

(1)试证：对于任意Rs值，场效应管都工作在饱和区。 (2)当Rs为12．5 kΩ时，试求电压VO值。

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第10题

场效应管的原理

场效应管工作原理与双极型三极管有何区别？为什么把场效应管称为单极性三极管？

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