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题目内容（请给出正确答案）

[判断题]

根据结构的不同，场效应管可分为结型场效应管和绝缘栅场效应管。此题为判断题(对，错)。

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更多“根据结构的不同，场效应管可分为结型场效应管和绝缘栅场效应管。”相关的问题

第1题

绝缘栅双极晶体管具有____的优点。

A.晶闸管

B.单结晶体管

C.电力场效应管

D.电力晶体管和电力场效应管

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第2题

（）具有不同的低频小信号电路模型

A.NPN型管和PNP型管

B.增强型场效应管和耗尽型场效应管

C.N沟道场效应管和P沟道场效应管

D.晶体管和场效应管

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第3题

绝缘栅型场效应管的输入电流

A.较大

B.为零

C.较小

D.无法判断。

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第4题

IGBT的基本结构是由“双极型三极管BJT”和“MOS绝缘栅型场效应管”组成的（)电力电子器件。

A.结构复杂

B.复合

C.全控型

D.电压驱动式

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第5题

常用的电力电子器件有：（)。

A.双极晶体管

B.绝缘栅双极晶体管

C.电力MOS场效应管

D.门极关断晶闸管

E.场控晶闸管

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第6题

绝缘栅双极晶体管的开关速度比电力场效应管的()。A.高B.相同C.低D.不一定高

绝缘栅双极晶体管的开关速度比电力场效应管的()。

A.高

B.相同

C.低

D.不一定高

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第7题

在使用场效应管时，由于结型场效应管的结构是对称的，所以()极和()极是可互换的。MOS管中如果衬底在管内不与()极预先接在一起()极和()极也可互换。

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第8题

场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为()场效应管。A.P沟道增强型MOS型B.P沟道耗尽型MOS

场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为()场效应管。

A.P沟道增强型MOS型

B.P沟道耗尽型MOS型

C.N沟道增强型MOS型

D.N沟道耗尽型MOS型

E.N沟道结型

F.P沟道结型

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第9题

双栅MOS场效应管因为反馈电容比常规（单栅)MOS场效应管低两个数量级,因而能在甚高频率和超高范围内稳定地工作。（)

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