​综合练习试卷1

一、1.简答题

0. 提高放大器的效率与功率，应从哪几方面入手?

1. 外部干扰有哪些?怎样克服?

2. 晶体管自激式变频器和混频器比较，各有哪些优缺点。

二、2.解答题

0. 有一个用硅NPN外延平面型高频功率管3DA1做成的谐振功率放大器，设已知V_CC=24 V，P_o=2 w，工作频率=1 MHz。试求它的能量关系。由晶体管手册已知其有关参数为f_T≥70 MHz，A_p(功率增益)≥13 dB，I_Cmax=750 mA，V_CE(sat)(集电极饱和压降)≥1．5 V，P_CM=1W。

1. 某谐振功率放大器的折线化转移特性如图5．4．2所示。已知所用的晶体管参数为：f_T≥150 MHz，功率增益A_p≥13 dB，允许通过的最大集电极电流I_CM=3 A，容许的最大集电极耗散功率P_CM=5 W。V_BZ=0．6 V，负偏压-V_BB=-1．4 V，θ_c=70°，V_CC=24 V，ξ=0．9。试求输出功率、集电极效率与基极激励功率。

2. 设计一个工作频率为30～80 MHz的传输线变压器，已知负载阻抗R_LL=50Ω，磁心的相对磁导率μ／μ0=15。

3. 晶体管放大器工作于临界状态，R_p=200Ω，I_CO=90 mA，V_CC=30 V，θ_c=90°。试求P_o与η_c。

4. 已知某晶体管功率放大器，工作频率=100 MHz，R_L=50Ω，P_o=1 w，V_CC=12 V，饱和压降V_CE(sat)=0．5 V，C_b"c(sat)=40 pF。试设计一个π型匹配网络。

5. 放大器工作于临界状态，采用5．2．13所示的电路。如发生下列情况之一，则集电极直流电表与天线电流表的读数应如何变化?
  1)天线断开；2)天线接地(短路)；3)中介回路失谐。

6. 设计一个电压开关型丁类放大器，在2～30 MHz波段内向50Ω负载输送4 W功率。设V_CC=36 V，V_CE(sat)=1V，β=15。

7. 试从物理意义上解释，电流通角相同时，倍频器的效率比放大状态的效率低。

8. 图4．4．1是二极管2AP12的伏安特性曲线。设直流偏压V₀=0．4 V，信号电压振幅最大不超过△v=0．2V。试求该特性曲线在直流偏压附近的幂级数近似表示式。

9. 用晶体管3 DG8D组成混频电路。已知工作点发射极电流I_E=0．5 mA，本振电压为150 mV，信号频率f_s=40 MHz，中频频率f_i=1．5 MHz，中频负载电导G_L=1 mS。在工作频率时的输入电导g_ic=430μS，输出电导g_oc=10μS。试求变频跨导g_c、变频电压增益A_vc和变频功率增益A_pc。

10. 某非线性特性i-v曲线如图4．4．4所示。试问如何实现此折线近似电路。

11. 试粗略画出图4．5．1所给的非线性元件的动态电阻r随电压v变化的关系曲线。

12. 若非线性元件伏安特性为
    i=b₀+b₁v+b₃v³
能否用它进行变频、调幅和振幅检波?为什么?

13. 若二极管D的伏安特性可用图4．5．10(b)中的折线来近似，输入电压为
  v=V_mcosω₀t
试求图(a)中电流i各频谱成分的大小(设g、R_L、V_m均已知)。

14. 若二极管D的伏安特性可用图4．5．10(b)中的折线来近似，输入电压为
   v=V₀(1+msinΩt)sinω₀t(V)
试计算电流i中各频谱成分的大小。(设g、R_L、V_m均已知)。