LDO在开关电源中的应用[2]

  目前市场上出售的开关电源中采用双极性晶体管制成的开关频率100kHz，用MOS-FET制成的开关频率500kHz电源。开关电源的突出缺点是产生较强的EMI。EMI信号既具有很宽的频率范围，又有一定的幅度，经传导和辐射会污染电磁环境，对通信设备和电子产品造成干扰。如果处理不当，开关电源本身就会变成一个干扰源。当用开关电源做为LDO的输入VIN时要注意LDO电源抑制比和功耗。

  电源抑制比PSRR（Power supply ripple rejectionratio）是反应LDO输出对输入纹波抑制能力的一个交流参数，一般输出和输入的频率是一样的，PSRR的值越大说明LDO的纹波能力越强，也就是说输入对输出的影响很小。尽管LDO的电源抑制比很强，但都是在一定频率内的抑制很强，一般的在50KHz到200kHz的电源抑制比还是很差的如图（4）为SGM2007的PSRR和频率曲线，而这段频率正是大多数开关电源的工作频率，如果LDO的负载和输入输出电容匹配不好，很容易引起LDO振荡。而造成整个LDO供电系统的不稳定。

  目前市场上出售的开关电源大多数都是固定电压输出的，一般常用都是5V输出的，而一般的LDO应用最多的是3.3V输出的，在开关电源的输出做为LDO的输入时，就存在一个很大的压差，为1.7V。如果LDO电流很大的话如200mA，那么芯片的温度就会很高，功耗很大，长时间工作在高温的情况下，会影响芯片的工作寿命。

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