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第5题
以下关于典型全控型器件描述不正确的是（）
A.GTO和普通晶闸管一样,外部也是引出阳极、阴极和门极。
B.GTR是由三层半导体形成的两个PN结构成,分别引出集电极、基极和发射极个引脚。
C.电力MOSFET也是多元集成结构,引出基极、漏极、源极。
D.IGBT是三端器件,具有栅极、集电极和发射极。
第9题
下列说法正确的是（） 1 元素周期表中有 7 个横行,也就是 7 个周期 2 元素周期表中有 9 个横行,分为 7 个周期 3 元素周期表中有 18 个纵行,也就是 18 个族 4 元素周期表中有 18 个纵行, 1 6 个族
A.① ④
B.②③
C.①③
D.② ④
