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第4题
以下关于漂移电流的说法,正确的有:
A.是由少数载流子的运动形成的。
B.又叫做反向电流。
C.一般情况下，电流的大小可以忽略不计。
D.在PN结内部，电流方向是从N指向P。
E.在外电路中，电流方向是从电源负极出发回到电源正极。
第5题
当光敏二极管的PN结上加相当大的反向偏压（）时,在结区产生一个很强的电场,使进入场区的光生载流子获得足够的能量,在与原子碰撞时可使原子电离,而产生新的电子—空穴对。只要电场足够强,此过程就将继续下去,使PN结内电流急剧增加,达到载流子的雪崩倍增
第6题
当pn结()向连接时， 阻挡载流子扩散的pn结空间电荷层变()，允许pn结上有较大的电流通过;当pn结
()向连接时，阻挡载流子扩散的pn结空间电荷层展()，pn结上只允许较小的()电流通过。
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第7题
某n型半导体硅，其掺杂浓度ND=1015cm－3，少子寿命τp=5μs，若由于外界作用，使其少数载流子全部被清除（如反向偏
某n型半导体硅，其掺杂浓度ND=1015cm-3，少子寿命τp=5μs，若由于外界作用，使其少数载流子全部被清除(如反向偏压的pn结附近)，试求此时电子—空穴的产生率是多大(设ni=1.5×1010cm-3)？
第9题
半导体二极管PN结因反向电压过大出现雪崩击穿时,PN结所在电流回路必须将急剧增大的PN结反向电流限制住,否则可能导致器件过热而烧毁,即通常所说的热击穿,稳压二极管即属于这种工作情形（）
