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[主观题]
迈克耳孙干涉仪中，当M1与M'2不平行，且间距d不太大时，我们将看到呈弧状的干涉条纹（下图)，试解释为什么条
迈克耳孙干涉仪中，当M1与M'2不平行，且间距d不太大时，我们将看到呈弧状的干涉条纹(下图)，试解释为什么条纹凸向M1与M'2之间距较小的一端？
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迈克耳孙干涉仪中，当M1与M'2不平行，且间距d不太大时，我们将看到呈弧状的干涉条纹(下图)，试解释为什么条纹凸向M1与M'2之间距较小的一端？
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更多“迈克耳孙干涉仪中，当M1与M'2不平行，且间距d不太…”相关的问题
求下列平面的一般方程：
(1)通过点M1(2，-1，1)和M2(3，-2，1)且分别平行于三坐标轴的三个平面；
(2)过点M(3，2，-4)且在x轴和y轴上截距分别为-2和-3的平面；
(3)与平面5x+y-2z+3=0垂直且分别通过三个坐标轴的三个平面；
(4)已知两点M1(3，-1，2)，M2(4，-2，-1)，通过Mi且垂直于M1M2的平面；
(5)原点O在所求平面上的正投影为P(2，9，-6)；
(6)过点M1(3，-5，1)和M2(4，1，2)且垂直于平面x-8y+3z-1=0的平面。
求下列各平面的坐标式参数方程和一般方程：
(1)通过点M1(3，1，-1}和M2(1，-1，0}且平行于向量{-1，0，2}的平面；
(2)通过点M1(1，-5，1)和M2(3,2，-2)且垂直于xOy坐标面的平面；
(3)已知四点A(5，1，3)，B(1，6，2)，C(5，0，4)，D(4，0，6)，求通过直线AB且平行于直线CD的平面，并求通过直线AB且与△ABC所在平面垂直的平面．
A.L/3；
B.L/4；
C.L/6；
D.0。
下列程序中的for循环执行的次数是______。 #define N 2 #define M N+1 #define NUM 2*M+1 #main () { int i; for (i=1;i＜=NUM;i++) printf ("%d\n", i); }
A．5
B．6
C．7
D．8
有如下程序 #define N 2 #define M N+1 #define NUM 2*M+1 main() { int i； for(i=1；i＜=NUM；i++) printf("%d\n"i) } 该程序中的for循环执行的次数是______。
A．5
B．6
C．7
D．8
| 以下是某同学测定硫酸铜晶体（CuSO4·xH2O）中结晶水含量的实验方案。 实验用品：硫酸铜晶体、研钵、干燥器、坩埚、三脚架、玻璃棒、药匙、托盘天平 实验步骤： ① 准确称量一个干净、干燥的坩埚； ② 在坩埚中加入一定量的硫酸铜晶体试样，称重，将称量的试样放入研钵中研细，再放回到坩埚中； ③ 将盛有试样的坩埚加热，待晶体变成白色粉末时，停止加热； ④ 将步骤③中的坩埚放入干燥器，冷却至室温后，称重； ⑤ 将步骤④中的坩埚再加热一定时间，放入干燥器中冷却至室温后称量。重复本操作，直至连续两次称量的质量差不超过0.1g为止； ⑥ 计算硫酸铜晶体化学式中x的实验值。 分析该方案并回答下面问题： （1）完成本实验还需要的实验用品是___________ ； （2） 指出实验步骤②中存在的错误并改正：_______________ ； （3）硫酸铜不能放置在空气中冷却的原因是 _______________； （4）步骤⑤的目的是________________ ； （5）若坩埚的质量为m，坩埚与硫酸铜晶体的质量为m1，加热后称量坩埚与无水硫酸铜的质量为m2，则晶体CuSO4·xH2O中，x ＝______________ （写表达式）； （6）下面的情况有可能造成测试结果偏高的是 ____________（填序号）。 A．试样中含有加热不挥发的杂质 B．试样中含有加热易挥发的杂质 C．测试前试样已有部分脱水 D．实验前坩埚未完全干燥 E．晶体加热脱水不完全 F．加热时有晶体溅出 |
假定两个处理机的指令系统相同，它们的指令执行时间与存储器的平均存取周期成正比，如果执行某个程序时所需的指令或数据在缓冲存储器中存取到的概率P是0.7，试问这两个处理机的处理速度（1），当P=0.9时，处理机的处理速度（2）。
（1）A．一样快 B.P1比P2快 C.P2比P1快 D.无法确定
（2）A．一样快 B.P1比P2快 C.P2比P1快 D.无法确定
A、529.13
B、539.13
C、185.4nm
D、713.0nm
A.λ/2
B.λ/(2n)
C.λ/n
D.λ/[2(n-1)]
