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[主观题]

有关滤线栅比的正确解释是A.栅比为铅条高度与铅条间距之比B.栅比为铅条宽度与铅条高度之比C.栅比

有关滤线栅比的正确解释是

A.栅比为铅条高度与铅条间距之比

B.栅比为铅条宽度与铅条高度之比

C.栅比愈大透过的散射线量越多

D.栅比为单位距离内铅条的数目

E.栅比表示单位体积中铅的重量

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第1题
关于滤线栅栅比的叙述,下列哪项错误A.是栅条高度与栅条间隔之比B.是滤线栅的几何特性之
关于滤线栅栅比的叙述,下列哪项错误

A.是栅条高度与栅条间隔之比

B.是滤线栅的几何特性之一

C.栅比越大消除散射线作用越好

D.栅比亦称曝光倍数

E.高电压摄影应使用大栅比滤线栅

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第2题
在X线摄影中,将滤线栅置于胶片与肢体之间,焦点到滤线栅的距离与滤线栅焦距相等,并使X线中心线对
准滤线栅中心线。使用滤线栅摄影时,冲洗后的照片有的中心有密度而两侧无密度,有的一边高密度,一边低密度。下列叙述错误的是A、可能使用聚焦式滤线栅

B、可能是滤线栅反置了

C、可能是滤线栅双重偏离

D、密度变化可能是栅切割效应所致

E、密度变化与滤线栅无关

下列叙述正确的是A、栅比越大消除散射线能力越差

B、栅密度越大消除散射线能力越差

C、曝光量倍数越小越好

D、滤线栅反置时两侧密度高,中间密,度低

E、滤线栅不能改善影像对比度

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第3题
滤线栅的几何特性不包括下列哪项A.选择能B.栅比C.栅密度D.栅容积E.栅焦距
滤线栅的几何特性不包括下列哪项

A.选择能

B.栅比

C.栅密度

D.栅容积

E.栅焦距

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第4题
关于高千伏摄影选用设备及条件的叙述,错误的是

A、选用150kV管电压的X线机

B、选用低栅比滤线器

C、选用密纹滤线栅

D、可用空气间隙效应代替滤线栅

E、采用自动曝光控制(AEC)

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第5题
使用曝光倍数为2的滤线栅,管电流应为不用滤线栅时的A.1/8B.1/4C.1/2
使用曝光倍数为2的滤线栅,管电流应为不用滤线栅时的

A.1/8

B.1/4

C.1/2

D.2

E.4

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第6题
滤线栅的使用原则?

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第7题
消除运动模糊的方法不包括

A、加强对X线设备的定期检测,尤其保证X线管、诊断床以及活动滤线栅托盘的机械稳定性

B、采用短时间曝光法

C、屏气与固定肢体

D、尽量缩小肢-片距

E、应用滤线栅

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第8题
双栅MOS场效应管因为反馈电容比常规(单栅)MOS场效应管低两个数量级,因而能在甚高频率和超高范围内稳定地工作。()
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第9题
滤线栅使用原则中,X线管管电压须超过A.55kVB.60kVC.65kVD.70kVE.75kV
滤线栅使用原则中,X线管管电压须超过

A.55kV

B.60kV

C.65kV

D.70kV

E.75kV

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