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题目内容 (请给出正确答案)
[主观题]

下列器件哪个不是将光信号转化为电信号

A、CCD相机

B、非晶硅

C、非晶硒

D、光电二极管

E、闪烁体

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第1题
在合适的热处理条件下,非晶硅可以转化为多晶硅、微晶硅和纳米硅。()
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第2题
用光纤传输时,发送方要先将()转化为(),接收方要将()转化为()。

A.电信号,光信号,电信号,光信号

B.电信号,光信号,光信号,电信号

C.光信号,电信号,电信号,光信号

D.光信号,电信号,光信号,电信号

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第3题
属于DR成像直接转换方式的是A.非晶硒平板探测器B.碘化铯+非晶硅平板探测器C.利用影像板进行X线摄
属于DR成像直接转换方式的是

A.非晶硒平板探测器

B.碘化铯+非晶硅平板探测器

C.利用影像板进行X线摄影

D.固定IP+CCD摄像机阵列

E.硫氧化钆:铽+非晶硅平板探测器

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第4题
硅基电池包括()。

A.铜铟镓硒薄膜电池

B.多晶硅

C.非晶硅电池

D.单晶硅

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第5题
目前最常用的DR系统为A.CsI+CCD阵列B.非晶硅平板探测器C.非晶硒平板探测器
目前最常用的DR系统为

A.CsI+CCD阵列

B.非晶硅平板探测器

C.非晶硒平板探测器

D.多丝正比电离室

E.计算机X线摄影

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第6题
利用碘化铯闪烁体和非晶硅作为探测元的检测器是

A、硒鼓检测器

B、IP成像转化器

C、直接转化平板探测器

D、间接转化平板探测器

E、多丝正比室检测器

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第7题
用于太阳能电池的半导体材料有____。

A.单晶硅

B.多晶硅

C.非晶硅

D.微晶硅

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第8题
非晶硅的沉积温度为()。

A、1000~1400℃

B、100~300℃

C、900~1300℃

D、500~700℃

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第9题
非晶硅薄膜的厚度约为()。

A、数十微米

B、数十毫米

C、数百纳米

D、数百微米

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