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[主观题]

在下图所示的电路中,已知Rb=260kΩ,Re=RL=5.1kΩ,Rs=500Ω,VEE=12V,β=50。试求:(1)电路的Q点;(2)电压增益Av输入

在下图所示的电路中,已知Rb=260kΩ,Re=RL=5.1kΩ,Rs=500Ω,VEE=12V,β=50。试求:(1)电路的Q点;(2)电压增益Av输入电阻Ri及输出电阻Ro;(3)若vs=200mV,求vo

在下图所示的电路中,已知Rb=260kΩ,Re=RL=5.1kΩ,Rs=500Ω,VEE=12V,β

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第1题
射极偏置电路如下图所示,已知β=60。(1)用估算法求Q点;(2)求输入电阻rbe;(3)用小信号模型分析法求电压增益Av;

射极偏置电路如下图所示,已知β=60。(1)用估算法求Q点;(2)求输入电阻rbe;(3)用小信号模型分析法求电压增益Av;(4)电路其他参数不变,如果要使VCEQ=4V,问上偏流电阻为多大?

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第2题
某反馈放大电路的方框图如下图所示,已知其开环电压增益Av=2000,反馈系数Fv=0.0495。若输出电压vo=2V,求输入

某反馈放大电路的方框图如下图所示,已知其开环电压增益Av=2000,反馈系数Fv=0.0495。若输出电压vo=2V,求输入电压vi、反馈电压vf及净输入电压vid的值。

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第3题
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电路如图题2.1.1所示,运放的开环电压增益Avo=106,输入电阻ri=109Ω,输出电阻ro=75Ω,V+=+10V,V-=-10V。(1)求运放输出电压为饱和值时输入电压的最小幅值vp-vn=?(2)输入电流iI=?

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第4题
(1)设计一同相放大电路,如下图(a)所示,其闭环增益Av=10,当vi=0.8V时,流过每一电阻的电流小于100μA,求R1和R2

(1)设计一同相放大电路,如下图(a)所示,其闭环增益Av=10,当vi=0.8V时,流过每一电阻的电流小于100μA,求R1和R2的最小值;(2)设计一反相放大电路,如图(b)所示,要求电压增益Av=vo/vi=-8,当输入电压vi=-1V时,流过每一电阻的电流小于20μA,求R1和R2的最小值。

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第5题
已知图所示电路中晶体管的β=100,rbe=1kΩ。

已知图所示电路中晶体管的β=100,rbe=1kΩ。

(1) 输入电阻ri;(2) 若Rs=3K,求Aus、ro;(3) 若Rs=30K,求Aus、ro;(4) 将上述(1)、(2)、(3)的结果对比,说明射极输出器有什么特点?静态时UCE=5.5V
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第6题
某放大电路中Av的对数幅频特性如图题4.7.1所示。(1)试求该电路的中频电压增益|AVM|上限频率fH
某放大电路中Av的对数幅频特性如图题4.7.1所示。(1)试求该电路的中频电压增益|AVM|上限频率fH下限频率fL(2)当输入信号的频率f=fL或f=fH时,该电路实际的电压增益是多少分贝?

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第7题
放大电路如图1所示,RG1=100K,RG2=50K,RD=3K,RL=3K;场效应管T的参数如下:Kn=0.25mA/V2,Vth=2V,r
ds=∞。()

1) 计算晶体管T1的静态工作点IDQ,VGSQ和VDSQ;

2) gm, 中频电压放大倍数Av,输入电阻Ri和输出电阻Ro;

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第8题
试求下图所示各电路输出电压和输入电压的运算关系式。

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第9题
图LP3-3所示电路,P沟道增强型MOSFET的μpCoxW/(2l)= 40μA/V2,VGS(th)=-1 V,若忽略沟道长度调制效
图LP3-3所示电路,P沟道增强型MOSFET的μpCoxW/(2l)= 40μA/V2,VGS(th)=-1 V,若忽略沟道长度调制效应。

(1)试证:对于任意Rs值,场效应管都工作在饱和区。 (2)当Rs为12.5 kΩ时,试求电压VO值。

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