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[主观题]
关于硅的电阻率说法错误的是()。
关于硅的电阻率说法错误的是（)。
A.在高纯硅中掺入极微量的电活性杂质，其电阻率会显著下降
B.硅的电导率对外界因素(如光、热、磁等)高度敏感
C.N型半导体中也有自由电子，但数量很少，称为少数载流子
D.N型半导体和P型半导体的导电能力都比本征半导体大得多
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A.在高纯硅中掺入极微量的电活性杂质，其电阻率会显著下降
B.硅的电导率对外界因素(如光、热、磁等)高度敏感
C.N型半导体中也有自由电子，但数量很少，称为少数载流子
D.N型半导体和P型半导体的导电能力都比本征半导体大得多
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A、PN结是P型，N型半导体混合制成的
B、PN结是P型，N型半导体相接触形成的
C、PN结是P型半导体中掺入少量N型半导体形成的
D、PN结是N型半导体中掺入少量P型半导体形成的
某n型半导体硅，其掺杂浓度ND=1015cm-3，少子寿命τp=5μs，若由于外界作用，使其少数载流子全部被清除(如反向偏压的pn结附近)，试求此时电子—空穴的产生率是多大(设ni=1.5×1010cm-3)？
