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[多选题]

mis结构实际上是一个()。

A.电容

B.金属-绝缘层-半导体

C.金属

D.电阻

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第1题
热电阻主要有()。

A.绝缘电阻

B.线电阻

C.金属热电阻

D.半导体热敏电阻

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第2题
肖特基结是()。

A.金属与金属接触

B.单向导电性的金属和半导体接触

C.有整流效应的金属和半导体接触

D.金属与半导体接触

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第3题
多数金属电阻值当温度上升1℃时其电阻值约()0.4%~0.6%,而半导体电阻值当温度上升1℃时电阻值()3%~6%。

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第4题
真空中有一个半径为a的金属球,则()是此金属球的电容的计算公式。A.4πs0aB.
真空中有一个半径为a的金属球,则()是此金属球的电容的计算公式。

A.4πs0a

B.

C.

D.4πε0a2

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第5题
CMOS摄像机,CMOS称为“互补金属氧化物半导体”,CMOS实际上只是将晶体管放在硅块上的技术,没有更多的含义。CMOS可以将光敏元件、放大器、A/D转换器、存储器、数字信号处理器和计算机接口控制电路集成在一块硅片上,具有结构简单、处理功能多、速度快、耗电低、成本低等特点()
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第6题
以“凡半导体都是良导体”和“有些半导体是金属”为前提构造三段论,则()。

A.可推出“有些金属是良导体”

B.会犯“大项扩大”的错误

C.会犯“小项扩大”的错误

D.会犯“中项不周延”的错误

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第7题
欧姆接触

为什么金属与重掺杂半导体接触可以形成欧姆接触?

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第8题
金属膜电阻器

在工业中应用最广的金属电阻器,其结构形式主要有()。

A.金属膜电阻器和金属氧化膜电阻器

B.固定电阻和可变电阻

C.无骨架螺旋式、瓷管式、瓷盘式、框架式、铁片栅电阻元件和频敏变阻器

D.碳膜电阻和线绕电阻

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第9题
为什么霍尔元件不用金属制作,而用半导体,且用N型半导体制作?

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