首页 > 职业资格考试> 技工类> 中级电工(四级)

题目内容（请给出正确答案）

[判断题]

在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄。（)

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更多“在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，…”相关的问题

第1题

三极管具有（)的特点。

A.发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度

B.基区非常薄

C.集电区掺杂浓度较小，集电结的面积比发射结的面积大

D.以上三项

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第2题

三极管的发射区面积大，杂质浓度高，多数载流子数量多。（)

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第3题

三极管的三个区是（）

A.发射区

B.基区

C.集电区

D.以上三个都是

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第4题

三极管是由三层半导体材料组成的。有三个区域，中间的一层为（)。A.基区B.栅区C.集电区D.发射区

三极管是由三层半导体材料组成的。有三个区域，中间的一层为()。

A.基区

B.栅区

C.集电区

D.发射区

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第5题

工作在放大状态时,基区多子浓度会发生变化（）

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第6题

无论是NPN型管还是PNP型管，它们内部均含有三个区，即发射区、基区和()。

无论是NPN型管还是PNP型管，它们内部均含有三个区，即发射区、基区和（)。

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第7题

由于有效基区宽度的变化，引起基区中少子积累的变化，反应出（)的充放电效应。

A.集电结势垒电容

B.集电结扩散电容

C.发射结势垒电容

D.发射结扩散电容

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第8题

在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于_______，而少数载流子的浓度则与_______有很大关系。

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第9题

PN结的反向电流是由多数载流子产生的。（)

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第10题

在P型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。（）此题为判断题(对，错)。

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