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[判断题]

影响铸造多晶硅晶体生长的主要因素是晶粒尺寸、固液界面、热应力、来自坩埚的污染等。()

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第1题
铸造多晶硅晶体生长完成后,硅锭保持在熔点附近2~4h,使硅锭温度均匀,以减少热应力。()
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第2题
无坩埚区域提纯()。

A.硅也能采用水平区域提纯法

B.也可用于晶体生长

C.避免了坩埚的污染

D.熔硅不会流动是由于其很大的表面张力

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第3题
铸造多晶硅的晶粒的大小一般为()。

A、100μm左右

B、10cm左右

C、10mm左右

D、1mm左右

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第4题
影响晶体生长速度的主要因素有()、()、()和()。

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第5题
石墨坩埚的寿命取决于()。

A.石墨坩埚的形状

B.承受的重量

C.在晶体生长过程中的受热程度

D.石墨的材质

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第6题
下列关于粉体的wetting的说法错误的是()

A.润湿性是固体界面由固-气界面变为液-液界面的现象

B.接触角越小润湿性越好

C.由于表面活性剂能显著降低界面张力,所以可以做润湿剂

D.粉体的润湿性会影响片剂的崩解

E.接触角范围0-180度

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第7题
钻井液密度主要是由()含量所造成的,其也是影响流变参数的主要因素。

A.液相

B.气相

C.油相

D.固相

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第8题
金镍合金的固相线与液相线的间隔较小,合金的铸造性能较好()
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第9题
在铸造多晶硅锭中,氧在高度方向的分布是上部高下部低。()
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