2020年中国科学院大学材料物理与化学考研半导体物理科目真题

2020年中国科学院大学材料物理与化学考研半导体物理科目真题

一、(共 50 分，每题 5 分)解释下列名词或概念

1. 等同的能谷间散射___________________________________

2. 杂质电离能___________________________________

3. 理想 MIS 结构的平带状态___________________________________

4. 准费米能级___________________________________

5. pn 结扩散电容___________________________________

6. 价带的有效状态密度___________________________________

7. 表面复合速度___________________________________

8. 自由载流子吸收___________________________________

9. 费米分布函数___________________________________

10. 半导体的汤姆逊效应___________________________________

二、(共 20 分，每题 10 分)简答题

1. 简述理想 MIS 结构的高频 C-V 特性(以 p 型半导体为例)。

____________________________________________________________________________________________________________________

2. 1963 年，Gunn 发现，给 n 型 GaAs 两端电极加以电压使得 GaAs 内电场超过3×10³V/cm时，电流便会以很高的频率振荡，这个效应称为耿氏效应(Gunn effect)。1964 年 Koremer 指出，这与微分负阻理论一致。请结合 GaAs 的能带结构，简述 GaAs 在高场下出现负阻效应的原因。

____________________________________________________________________________________________________________________

以上是部分真题，完整真题请下载文末附件查看。

附件：

半导体物理.pdf

原文链接：

2020年中国科学院大学材料物理与化学考研半导体物理科目真题